Après un fonctionnement parfait pendant quelques temps, un composant de mon circuit a claqué, et je soupçonne fortement un des deux IGBT. La saturation de la sortie de AO1 et la valeur élevée de la résistance de contreréaction R1 (3M ) limite le courant de décharge de grille ce qui conduit à une décroissance lente de la tension vGS de. 0 0000007912 00000 n %%EOF Ces opérations sont très chronophages car elles demandent l'arrêt du faisceau et l'attente de l'autorisation d'ouverture du sas d'accès (deux portes, plusieurs contrôles accès + obstruction par un bloc de béton d'un mètre d'épaisseur pendant la présence faisceau). Figure V-1 Le prototype fabriqué présente une solution nouvelle dans le domaine de la moyenne tension. Le suivi de l'évolution du courant de fuite de grille en "continu" en fonction de la fluence reçue par le MOSFET est un point essentiel de la campagne de test. Un cycle de mesure de courant de fuite de grille iGfuite est déclenché toutes les secondes pour chacune des 6 voies (donc 6 mesures par secondes en tout). Comment tester un transistor ? Ces tests seront réalisés au GANIL à Caen pour la mise en évidence des défauts de grille SEGR (Single Event Gate Rupture). Comment peut-on tester un thyristor, une diode et un transistor spécial,. Ces travaux sont réalisés dans le cadre du projet PiGS (ANR 2010 BLANC 031401) financé par l’Agence Nationale de la Recherche. Single-event burnout and single-event gate rupture, « MIL-STD-750E, method 1080 ». [3]   V. Ferlet-Cavrois, C. Binois, A. Carvalho, N. Ikeda, M. Inoue, B. Eisener, S. Gamerith, G. Chaumont, F. Pintacuda, et A. Javanainen, « Statistical Analysis of Heavy-Ion Induced Gate Rupture in Power MOSFETs—Methodology for Radiation Hardness Assurance », 2012. Fig.18 Caractéristiques de commutation relevées sur le banc avant irradiation. Vous venez d'acquérir un projet de technologie Jeulin qui dispose d'un ou de plusieurs transistors, mais les élèves ont quelques difficultés à déterminer le sens d'implantation. Pour cela on applique sur les trois électrodes du transistor des potentiels continues de valeurs convenables. Title: Microsoft PowerPoint - Mosfet_test_en_ligne.ppt Author: Droulez Fred Le préchauffage est effectué avec un courant maximal de 30A et un rapport cyclique  = 0,9. Le FPGA pilote également les hacheurs de ventilateurs de refroidissement en fonction de la consigne envoyée par le programme LabVIEW via la carte d'acquisition. Une résistance (qu'il est en fait plus correct de nommer « résisteur ») est un composant qui permet de réguler la quantité de courant qui traverse un circuit électrique. Une carte d'acquisition NI PCIe-6351 est utilisée pour les mesures et la communication avec la manip. 0000010606 00000 n Keywords: Insulated gate bipolar transistor, power semiconductor, Fig.22 Enregistrement pour lors d'un des essais sous irradiation. Une première utilisation sous irradiation au Ganil (créneau d'une durée totale de 4 heures seulement) a été effectuée avec des résultats très concluants. Comment tester transistors avec un mètre Pour vérifier qu'un transistor ne soit pas endommagé, vous devez le tester. 0000007462 00000 n L'amplitude de cette ondulation de courant est ici proportionnelle aux pertes par conduction de l'ensemble des deux hacheurs en opposition (plus les pertes dans l'inductance de lissage et la câbles de connexion). Les capteurs de température sont visibles avec la vue d'un capteur grossi en bas à droite. Pour chaque MOSFET sous irradiation une structure de deux hacheurs (unidirectionnels en courant) montés en opposition est utilisée (Fig. +14V (son niveau haut) vers +10V (tension de référence) en environ 2ms. Le circuit convertisseur courant tension construit autour de l'amplificateur opérationnel AO1 tente d'imposer la tension de référence de +10V à la grille du MOSFET. 0000000016 00000 n 680 0 obj <> endobj Pour plus d'info ou autres: www.depannezvous.com Ou procurez-vous le document: "Guide électrique" offert sur ce site dans la section documents offert. Ces capteurs sont plaqués sur le boîtier par une pièce en plastique (POM) et un ressort logés dans une pièce de guidage en laiton (Fig. Les mesures des tensions vDS et vGS sont effectuées avec des sondes d'oscilloscope classiques, aucune isolation n'étant nécessaire. Ce contrôle est réalisé à l’aide d’un … e�� ������x��4�ux8F3�.� ��H � �m Fig.21 Arrivée du faisceau dans la salle et système de balayage horizontal. Les paramètres sont transmis à une cadence de 1000 jeux de valeurs par seconde sur signaux complémentaires (suppression des défauts de transmission du au mode commun). Cependant, dans le temps total disponible pour une campagne (4h ou 8h avec un coût d'environ 800€/heure) il faut aussi prévoir les temps de remplacement des échantillons irradiés par de nouveaux échantillons. Fig.5 Système de refroidissement pour 6 voies avec la carte hacheurs de ventilateurs commandés par le FPGA. 2. déterminer graphiquement les variations ∆I Biensûr, je dispose d'un bon multimètre qui permet aussi de tester … 0000003795 00000 n 0000007425 00000 n Ceci assure un excellent contact thermique et permet un démontage et remontage rapide des échantillons entre les irradiations. C'est pour cela qu'il a été choisi d'utiliser des thermorésistances au platine de type PT1000 directement pressées (avec isolation électrique) sur les boîtiers des MOSFET au droit de la puce de silicium. Ces échantillons devant ensuite être irradié en fonctionnement par rangées de 6 à la fois. Des contraintes dimensionnelles fortes sont imposées à la conception du dispositif par les conditions de site au GANIL. x�bb�g`b``Ń3� ���ţ�1�x4>0 [� Les pertes par conductions sont proportionnelles à RDSON. 0000085893 00000 n Fig.6 Carte hacheur 6 voies et support des MOSFET à irradier. C'est le plus simple, une diode "laisse passer" le courant dans un seul sens : 0000003007 00000 n 705 0 obj <>stream [1]   L. Scheick, L. Edmonds, L. Selva, et Y. Chen, « Current leakage evolution in partially gate ruptured power MOSFETs », Nuclear Science, IEEE Transactions on, vol. Oscillogramme représentant les ordres de commandes des deux transistors (D0 : MOSFET DUT et D1 : MOSFET opposition), la commande de relais REED de commutation entre mesure de courant de fuite de grille et commande de grille, la tension vGS et le signal de sortie du convertisseur courant-tension envoyé vers la carte d'acquisition. Le pilotage de la manipulation, le traitement et l'enregistrement des mesures sont programmés sous LabVIEW. Le bloc "hacheur opposition" regroupe 6 hacheurs d'opposition, leurs inductances de lissage et leurs capteurs de courant à effet Hall. La régulation de la température est assurée par l'application LabVIEW qui transmet ses consignes à la carte FPGA. Au bout d'une temporisation (ici de 14ms) les commandes du driver du MOSFET en test et du relais repassent à zéro. Comme le vieillissement sous irradiation est effectué simultanément sur 6 MOSFETs 6 couples de hacheurs en opposition fonctionnement simultanément. Fig.15 Dispositif de mesure automatique du courant de fuite de grille. comment tester un transistor de puissance mpsa44...oupps j'oublie de dire que je ne suis pas electronicien mais que ça me botte terriblement. Tous ces paramètres sont transmis avec une période de rafraichissement de 1ms. Des claquages partiels de grilles sont visibles sur l'enregistrement des courants de fuite de grille mais les composants sont restés fonctionnels pendant toute la durée du test. 0000007196 00000 n A gauche le signal fenêtré (avec un zoom vertical pour visualiser le bruit de fond) sur lequel sera effectué la moyenne numérique. Il sert alors comme une vanne électrique de contrôle, ouvrant complètement ou partiellement et permettant le passage d’un courant intense de passer ou bien coupant ce courant. Il est envisagé de couper les commutation des 6 MOSFET lors de la mesure de iG sur un MOSFET afin de remédier à ceci. Habituellement le transistor est placé en série avec une source continue de courant. Un transistor est un composant électronique semi-conducteur qui permet de réguler un courant (ou une tension) à travers une portion de circuit. je veux tester a chaque fois un transistor et si cela fonctionne la led s'allume sinon elle ne s'allume pas. Chaque cycle de mesure du courant iGfuite se déroule de la manière suivante. <<5F36F41C3D39BC4DB94672A44CEF7206>]>> Vue éclatée. Pour chaque échantillon le fonctionnement en découpage est brièvement arrêté pour un cycle de mesure de courant de fuite de grille d'une durée totale inférieure à 20ms. 0000037744 00000 n Avec l'alimentation de puissance les commutations des 5 autres MOSFET engendrent un niveau de bruit sur la mesure de iG de l'ordre de 10nA. Le dispositif réalisé permet aussi de relever aisément et rapidement les caractéristiques de commutation des échantillons avant et après irradiation avec des paramètres de fonctionnement identiques grâce aux régulations de courant et de température. Polarisation d’un Transistor 1. Elle comporte aussi 2 sorties analogiques avec cadencement matériel (600kHz maxi) et 24 lignes d'entrées-sorties numériques dont 8 avec cadencement matériel (10MHz maxi). D'abord le transistor du hacheur d'opposition est bloqué, la grille du MOSFET sous test est maintenue à un état haut et le relais est commandé pour commuter et passer la connexion de grille depuis la sortie du driver vers le circuit de mesure. La chaleur provenant de la soudure et les utilisations abusives dans les circuits peut neutraliser transistors. La valeur de l'inductance de lissage L est très fortement réduite pour une même amplitude d'ondulation de courant par rapport à un hacheur classique. 0000086196 00000 n Les conditions de l'essai se rapprochent ainsi beaucoup plus de ce que ces composants ont à supporter dans un convertisseur d'alimentation de satellite. Mots clefs: Transistor IGBT, semi-conducteur de puissance, convertisseur statique, hacheur, transistors en série. Le système de régulation utilise un correcteur PI programmé dans LabVIEW. L'erreur de mesure obtenue est inférieure à 1% ou 2nA en l'absence de l'alimentation de puissance. bonjour , dans le cadre de mon pfe je suis appelée à tester une série de transistors , donc j'ai proposé le montage ci-joint . 0000006830 00000 n Le rapport cyclique de commande  du MOSFET d'opposition est ajusté par la régulation de courant (régulateur PI numérique intégré dans le FPGA). Pour tester un transistor, il vous faut un "multimètre" avec une position de mesure des diodes. Les mesures de température doivent être performantes en termes de précision et de rapidité. R = 50,4M (multimètre Agilent 34405A). Un système de déplacement vertical motorisé commandé à distance permettant de passer d'une ligne à la suite sans nécessiter un accès humain dans la salle d'expérience. Comment tester un transistor. Donner l’expression de la droite charge statique Ic = f(V CE) ETUDE DYNAMIQUE ∆VB # 0 1. on fait varier VB de ∆VB pour avoir une variation ∆V BE ±25mV. Test de Mosfets(canal N) avec un multimètre pour un canal P, inverser toutes les polarités évoquées le plus simple est d’intervertir les pointes tests du cotédu multimètre. La taille du dispositif supportant les composants sous test ne doit pas dépasser de 260mm x 260mm (il peut être fixé sur un support avec déplacement vertical motorisé). Fig.16 Mesure automatique du courant de fuite de grille. Une double temporisation permet de placer une fenêtre d'intégration sur le signal reçu pour sélectionner un intervalle de temps pendant lequel ce signal est constant. La perte d’énergie correspondante a été calculée à partir du logiciel SRIM [4] et vaut 26 2.mg-1 à la surface du composant. Vous pouvez aussi tester un transistor dans un circuit en utilisant une source de courant de 6 volts et deux petites ampoules électriques, ou bien en connectant un multimètre à l'émetteur et au collecteur avant de créer un court-circuit entre le collecteur et la base Pour tester un transistor, il vous faut un multimètre avec une position de mesure des diodes. La tension de sortie de l'amplificateur AO2 est envoyée à la carte d'acquisition. Ici exemple de test (hors irradiation) avec consigne de température à 110°C. La constante de temps doit cependant rester suffisamment faible pour ne pas nécessiter une augmentation importante de la durée du cycle de mesure. et les pertes par commutation sont sensiblement proportionnelles à ID et Fdéc. 680 26 Intensité de flux            = 5.102cm-2.s-1, Tjonction = 30°C                      vGnégative = -6V         = 0,20. BONSOIR: qui a encore un multimetre a aiguille ? merci! '������\��ؔ{T�\gm���9��˷:�3ҭ�s �|�)�Ψm�Qڪ������i�a����x��tߔ�ğSg8?��_*y-Ѵ������=`u�9[G��h�K�]S�4^P--����8-����4 L10�h�0��kXFH@PI � 납c���l���\x�Ł�+������hš |C�c�Ɂ�M�'�*l@��,\��w۽����@�ic�!� cɧ��Z, �� Lorsque le multimètre fil négatif est connecté à la base, une diode de jonction vers l'avant doit être indiquée lorsque le conducteur positif est relié au collecteur ou émetteur. 2.s-1 (exemple correspondant à plusieurs de nos expériences) la durée d'irradiation est d'environ 600 secondes ce qui est relativement rapide. en +,tu pourras faire la difference entre un transistor "normal" et un darlington.. Claquages partiels de grilles visibles sur l'enregistrement des courant de fuite de grille mais les composants sont restés fonctionnels pendant tout le test. Un éclairage sur les diodes électroluminescentes Autres utilisations des diodes Des transistors extrêmement doués Les transistors bipolaires à jonction Les transistors à effet de champ Principe de fonctionnement d’un transistor Comment fonctionne vraiment un transistor ? Ceci permet de développer assez facilement une loi de régulation complexe. Les puces des MOSFETs doivent être placées à une distance précise (100mm ici) de la fenêtre pour permettre le calcul de l'énergie résiduelle lors de l'impact sur les composants. Message par jojojo » dim. Les transistors MOS de puissance sont sensibles aux radiations dans leur état bloqué (i.e. Ensuite, après remplacement des échantillons et évacuation de la salle d'expérience, il faut attendre le rétablissement du faisceau. Les transistors de puissance, comme c’est le cas ici, sont destinées à être employées sous de fortes tensions. TD N°1 : transistor bipolaire Exercice 1 ETUDE STATIQUE ∆VB = 0 On choisit VB et RC et RE pour avoir un point de repos V CE0=7.5V 1. Le courant correspond à ces perte est calculé en "temps réel" à partir des caractéristiques des MOSFETs et des paramètres de fonctionnement (rapport cyclique , fréquence de découpage Fdéc et température de jonction pour tenir compte de l'augmentation de RDSON). Huselstein, F. Wrobel, J. Vaille, S. Bourdarie, R. Arinero, N. Chatry, G. Chaumont , E. Lorfèvre, F. Saigné. Actuellement le banc fonctionne complètement dans sa version à 6 échantillons. Le rapport cyclique  sera légèrement supérieur rapport cyclique  l'écart rapport cyclique est sensiblement proportionnel aux pertes dans le dispositif. .10 Organisation générale du dispositif (seulement deux voies ont été représentées). A gauche mise en conduction, à droite blocage. Cette méthode permet de faire fonctionner les transistors MOSFET dans des conditions de fonctionnement choisies sans nécessiter de charge et avec un réglage libre du courant. Toutes les consignes élaborées par l'application LabVIEW sont transmises au FPGA par une liaison série synchrone rapide via les sorties numériques avec cadencement matériel de la carte d'acquisition. Fig.14 Sonde de température PT1000. Il faut respecteur les connexions et savoir si c'est un NPN ou un PNP. 15. x�b```f``�a`e`��ab@ !�+�?��D. 0000085734 00000 n J'aurais aimer savoir/apprendre a tester un transistor, quelqu'un aurai bien aimer m'expliquer ? Ici à l'instant t = 1400s tous les MOSFETs ont été volontairement bloqués. Fig.8 Assemblage carte hacheur 6 voies et support des MOSFET à irradier avec la carte drivers et mesure de courant de fuite de grille (composants sur la face cachée). Toutefois, si un seul transistor ne La pleine échelle de mesure a été fixée à +500nA. Malheureusement les mesures après irradiation n'ont pas pu être effectuées avant clôture du dépôt des articles SGE2014 car les composants irradiés ne peuvent quitter le Ganil qu'après une procédure prenant plusieurs jours. Test des diodes . La chute de tension aux bornes de la résistance de contreréaction R1 devient égale à iGfuite>. Il suffit d'un transistor défectueux à perturber les fonctions opérationne La date des essais au Ganil ne précédait que d'un jour de la deadline de la conférence ce qui ne permettait pas de présenter correctement les résultats. Assemblage avec fils de liaison et détails construction : thermorésistance platine PT1000 montée sur support FR4 avec isolation électrique (coté boîtier MOSFET) par film Kapton 25µm avec comblage par colle de transfert thermique (1W/mK). Les transistors MOSFET sous soumis à un bombardement d'ions lourds par un accélérateur de particules pour produire des endommagements similaires à ceux rencontrés lors de mission en environnement spatial. ensuite AO1 retrouve un fonctionnement linéaire et le circuit courant-tension retrouve sa fonctionnalité. La fermeture du relais REED se fait avec un retard d'environ 300µs. Le projet initial prévoyait la construction d'un dispositif pouvant recevoir simultanément 30 échantillons en boitier TO3. Introduction : La polarisation a pour rôle de placer le point de fonctionnement du transistor dans la zone linéaire de ses caractéristiques. 4.3.Résultats observés pendant une des phase d'irradiation, Energie Eion = 6GéV (ou 44MeV/ua). - les trois autres le multimètre m'affiche un OL *Source+ et Drain --je trouve le contraire que le premier test *Gate+ et Source, Drain - -les trois premiers transistor je trouve une tension de 0.5V - les trois autre le multimètre affiche une tension non stable qui augmente jusqu'à une valeur de 2.3V puis il m'affiche un … La tension de polarisation vGS est égale à +10V. peut fournir un courant de 5A sous une tension de 150OV. Le signal de commande du relais est également envoyé sur une autre voie de la carte d'acquisition pour déclencher le début de la phase de mesure dans LabVIEW. Cette carte comporte 16 entrées analogiques 16bits avec une fréquence d'échantillonnage totale maximale de 1Méch/s. Les irradiations ont été effectuées en incidence normale (faisceau orthogonal à la surface impactée) à un flux moyen de 500 ions cm-2.s-1. Après une temporisation de 1ms (temps de commutation du relais plus rebonds plus marge de sécurité) les commandes des deux MOSFETs reprennent leur fonctionnement normal. comment tester un transistor? Formation pour apprendre comment tester un transistor MOSFET, Cours sur les composants de l'électronique de puissance, Transistor bipolaire à grille isolée formation en PDF, Cours transistor bipolaire à grille isolée, Cours sur le transistor à effet de champ à grille métal-oxyde, Exercice corrigé sur les diodes redressement en PDF. Comment tester un thyristor. Fig.12 Illustration de la communication série utilisée pour la transmission des paramètres entre le programme LabVIEW (carte d'acquisition) et le FPGA. Fig.17 Mesure automatique du courant de fuite de grille, traitement dans l'application LabVIEW. F 0000004375 00000 n [4]   J. Ziegler, J. Biersack, and M. Ziegler, SRIM-2008 Software Package, « Disponible sur ». Ce montage est suivi par un montage soustracteur avec la tension de référence qui permet d'obtenir une tension de sortie directement proportionnelle à la chute de tension aux bornes de R1, donc proportionnelle à iGfuite. Pour savoir s’il avait grillé, il m’a fallu apprendre à tester le transistor avec un multimètre, et c’est de ça que je vais vous parler. donc, pour irradier un nombre d'échantillons suffisant pendant une campagne, il est nécessaire de placer le plus de composants possible devant la fenêtre d'irradiation, de réduire au strict minimum les temps de manipulations et les temps de mises en température. Avec un multimètre numérique en position test de diode on contrôle l'absence de court-circuit entre les électrodes et la présence d'une diode (éventuelle) entre la source ->|-et le drain. comment tester un transistor pdf Dun transistor à canal N et dun autre à canal P. vérifier si un circuit est en bon état consiste à placer.posted in electro on June 28, 2011 - 15 Comments. 0000003747 00000 n endstream endobj 681 0 obj <>/Metadata 90 0 R/PieceInfo<>>>/Pages 87 0 R/PageLayout/OneColumn/OCProperties<>/OCGs[682 0 R]>>/StructTreeRoot 92 0 R/Type/Catalog/LastModified(D:20101123044247)/PageLabels 85 0 R>> endobj 682 0 obj <. Ce banc de vieillissement original permet de faire fonctionner des composants MOSFET de puissance en commutation lors de leur irradiation aux ions lourds sous accélérateur de particules dans des conditions similaires à leur utilisation dans une alimentation à découpage embarquée dans un satellite. Pour cette raison, les standards de test spatiaux préconisent d’irradier les MOSFETs sous test en mode statique bloqué. L’irradiation d’un composant est arrêtée lorsque l’on atteint la fluence de 3.105 ions cm-2, ce qui correspond à la valeur préconisée par les standards de test spatiaux [5]. Support des composants sous test et système de. (1 mesures/s pour chaque composant). Polytech Elec3 6 C. PETER – V 3.0 TRANSISTOR BIPOLAIRE I.4 – Le transistor considéré comme un quadripôle EC CC BC v1 T i1 i2 v2 e n t r é e s o r t i e Le transistor ayant trois électrodes, l'une Test des transistors MOSFET. Pour deux échantillons l'enregistrement du courant de grille repasse à zéro à partir d'une certaine fluence, ceci est du à une sortie de gamme du système de mesure (saturation amplificateur opérationnel). Fig.2 Système avec 30 échantillons. Ses performances électriques et thermiques (montées rapides en température et régulation) ont pu être vérifiées. Un certain nombre de multimètres disposent de la fonction "hfe" qui permet de tester un transistor bipolaire. Fig.23 Salle de contrôle, à droite installations du Ganil, à gauche écran déporté de pilotage et de mesure de notre système (le PC est dans la salle d'expérience). - Pour tester un transistor PNP, inverser la polarité des fils de multimètre et répéter le test. On trouve facilement, en grande surface, des multimètres digitaux de bas de gamme à petit prix. Fig.7 Carte de commande de grille et de mesure de courants de grille à 6 voies. 0000004297 00000 n C'est le programme LabVIEW qui déclenche le début de la mesure (signal transmis avec la trame de liaison série synchrone de paramètres transmise toutes les millisecondes). Fig.20 Dispositif amenant le faisceau jusqu'à l'aire d'expérience (au fond). Le transistor est un semi-conducteur généralement composé de deux jonctions, qui. Donc voici à titre d'exemple un enregistrement des mesures automatiques durant un des cycles d'irradiation. If you any further doubts regarding the procedures please feel free to express your thoughts in the comment section.